Voltage Divider Bias

Laporan Akhir Voltage Divider Bias

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Jurnal

2. Prinsip Kerja

3. Video Percobaan

4. Analisa

5. Video Penjelasan  

6. Download File  

1. Jurnal[Kembali]

2. Prinsip Kerja[Kembali]

      

Prinsip kerja:
Arus Vcc juga akan melalui R1 lalu menuju kaki kolektor lalu ke kaki emitter mengalir ke RE dan menuju ground. Dari input Vcc sebesar 12 V akan mengalir arus melalui R2 lalu ke kaki base lalu ke kaki emitter lalu melalui REdan menuju ground, arus juga akan mengalir melalui R4 lalu menuju ground.

3. Video Percobaan[Kembali]

4. Analisa[Kembali]

2.  Analisa prinsip kerja dari rangkaian voltage divider bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan

jawab: 

    Komponen-komponen yang terlibat dalam rangkaian ini melibatkan penggunaan transistor NPN, dua resistor pembagi tegangan (RB1 dan RB2), resistor kolektor (RC), dan sumber tegangan Vcc sebesar 12 volt. Resistor pembagi tegangan RB1 dan RB2 membentuk rangkaian pembagi tegangan dengan tujuan menghasilkan tegangan basis (Vb). Transistor NPN berfungsi sebagai komponen aktif yang mengendalikan arus kolektor (Ic) berdasarkan arus basis (Ib).

Resistor kolektor (RC) digunakan untuk mengatur arus kolektor transistor. Pengukuran tegangan kolektor (Vc) dan tegangan basis (Vb) dilakukan dengan memperhitungkan nilai tegangan sumber Vcc serta pembagi tegangan RB1 dan RB2.

Proses perhitungan arus basis (Ib) mengikuti hukum Ohm dengan rumus (Ib = frac{Vb}{RB1 + RB2}). Prinsip kerja dari rangkaian Voltage Divider Bias adalah memberikan tegangan basis yang sesuai pada transistor, memungkinkan transistor untuk mengontrol arus kolektor dengan tepat sesuai dengan prinsip kerja transistor.

4. Tentukan titik kerja (Q Point) dari percobaan voltage divider bias (dalam bentuk grafik)
jawab:

5.  Nilai apakah yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q point)

jawab:

Berikut adalah faktor-faktor yang memengaruhi perubahan Q Point dalam Voltage Divider Bias:

1. Nilai Resistor Basis (RB1 dan RB2):

• Total resistansi dari resistor dalam pembagi tegangan (RB1 dan RB2) sangat berpengaruh terhadap Q Point.
• Nilai resistansi total yang lebih besar (RB1 + RB2) akan menghasilkan arus basis (Ib) yang lebih besar, mempengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emas (Vce).
• Perubahan nilai-nilai RB1 atau RB2 dapat memindahkan Q Point.

2. Nilai Resistor Kolektor (RC):

• Nilai resistor kolektor (RC) mempengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emas (Vce).
• Peningkatan nilai RC dapat mengurangi Ic dan meningkatkan Vce, berdampak pada Q Point.

3. Nilai Tegangan Sumber (Vcc):

• Nilai tegangan sumber (Vcc) memengaruhi tingkat potensial tegangan kolektor-emas (Vce) saat transistor beroperasi.
• Peningkatan Vcc akan memengaruhi karakteristik operasi transistor dan Q Point.

4. Nilai-nilai Parameter Transistor:

• Karakteristik transistor seperti hfe (gain arus), Vbe (tegangan basis-emas), dan Vce (tegangan kolektor-emas) dapat bervariasi antar transistor.
• Penggunaan transistor dengan parameter yang berbeda akan memengaruhi Q Point.

5. Perubahan Temperatur:

• Suhu lingkungan dapat memengaruhi karakteristik transistor dan resistansi resistor.
• Perubahan suhu dapat memengaruhi resistansi transistor dan nilai-nilai komponen, yang dapat memindahkan Q Point.

6. Toleransi Komponen:

•  Nilai resistor yang sebenarnya mungkin memiliki toleransi tertentu.
•  Variabilitas dalam nilai-nilai ini juga dapat memengaruhi Q Point.

5. Video Penjelasan[Kembali]

6. Download File[Kembali]

1. Download video percobaan disini

2. Download video penjelasan analisa disini